倍率較正試料

CD倍率較正試料

 SEM, FESEM, FIB, CD-SEMの迅速で正確な倍率較正を容易に行うことができます。様々な測定範囲において十分な機能やトレーサブル較正基準を持ちます。これらは、最新の半導体及びMEMS製造技術を用いて作られています。

 倍率較正試料は超平坦なシリコン基板上で作られており、5umまでのボックスに対し精密に50nmのクロム蒸着がされており、2umから100nmまでのボックスに対しては、50nmの金が20nmのクロム上に蒸着されています。シリコン上のクロム及び金/クロムは、SE及びBSEイメージングモードの両方において優れたコントラストをもたらします。シリコン基板及びクロム/金の特性全てに導電性があるため、帯電の問題がありません。また、頑丈な構造によりプラズマ洗浄が可能です。

 より小さなボックスは、迅速な測定のために入れ子状になっています。ボックスの精度は<0.3%です。スタンダードのサイズは2.5×2.5mmで厚さ625±10umです。シリコン表面はコーティングされていません。各スタンダードには固有の識別番号が振られます。

倍率較正試料

倍率較正試料

 S2009Tはピッチ2mm-1um 10~20,000倍までの倍率較正試料です。デスクトップSEM及び低倍率に適します。
 S2009STはピッチ2mm-100nm 10~200,000倍までの倍率較正試料で、全てのSEM及び殆どのFESEMに適します。ピッチパターンは時計回りに螺旋状に縮小していきます。
 S2009TとS2009STは共に、NISTスタンダードに対し個別に認定されています。
 証明書サンプル: ⇒S2009T  ⇒S2009ST

 試料をマウントする試料台はこちらよりお選びください。又、試料のみもございます。試料は真空デシケーターでの保管をお薦め致します。

[ Q & A ]  

Cat No.マウントタイプ
S2009T試料のみ(U)又は
マウントタイプ(A~Q)
をお選びください。
S2009ST

倍率較正試料 ISO 17205

 ISO 17205:2017の認証を取得した製品です。仕様は上記製品と同じです。
証明書サンプル: ⇒S2009T-ISO  ⇒S2009ST-ISO

 試料をマウントする試料台はこちらよりお選びください。又、試料のみもございます。試料は真空デシケーターでの保管をお薦め致します。

Cat No.マウントタイプ
S2009T-ISO試料のみ(U)又は
マウントタイプ(A~Q)
をお選びください。
S2009ST-ISO

XY軸倍率較正試料

CD倍率較正試料

XY軸倍率較正試料

XY軸倍率較正試料

 XY軸倍率較正試料は、試料を回転させることなくXY軸の倍率較正ができます。仕様は、上述の倍率較正試料と同じです。S2012XYTはピッチ2mm-1um 10~20,000倍までの倍率較正試料です。デスクトップSEM及び低倍率に適します。
 S2012XYSTはピッチ2mm-100nm 10~200,000倍までの倍率較正試料で、全てのSEM及び殆どのFESEMに適します。ピッチパターンは時計回りに螺旋状に縮小していきます。
 S2012XYTとS2012XYSTは共に、NISTスタンダードに対し個別に認定されています。
 証明書サンプル: ⇒S2012XYT  ⇒S2012XYST

 試料をマウントする試料台はこちらよりお選びください。又、試料のみもございます。試料は真空デシケーターでの保管をお薦め致します。

[ Q & A ]  

Cat No.マウントタイプ
S2012XYT試料のみ(U)又は
マウントタイプ(A~Q)
をお選びください。
S2012XYST

XY倍率較正試料 ISO 17205

 ISO 17205:2017の認証を取得した製品です。仕様は上記製品と同じです。
証明書サンプル: ⇒S2012XYT-ISO  ⇒S2012XYST-ISO

 試料をマウントする試料台はこちらよりお選びください。又、試料のみもございます。試料は真空デシケーターでの保管をお薦め致します。

Cat No.マウントタイプ
S2012XYT-ISO試料のみ(U)又は
マウントタイプ(A~Q)
をお選びください。
S2012XYST-ISO

Geller(ゲラー)社製
MRS-3 顕微鏡用倍率較正スタンダード



MRS-3

geller(ゲラー社製) MRS-3

 高精度の直接書込み電子ビーム製造機器で形成されています。パターンは、石英上に反射防止クロム(70nm Cr上に30nm Cr2O)で構成されています。二次電子像及び反射電子像ともに高い分解能を提供します。パターンは、全ての加速電圧におけるSEMの結像を可能にする、適切な導電性を有する材料で被膜されています。
 MRS-3は、2um, 50um, 500umのピッチで、入れ子構造の四角形の集合を有します。最大パターンは8×8mm 500umピッチパターンで10~100倍の倍率に、50umピッチパターンは100~1000倍の倍率に用います。2umピッチパターンは、最大5万倍の倍率較正に用いることができます。総寸法は約9×9×2.3mmです。パターンは石英上に構成されており非常に脆いため、オプションの保護リテイナーの使用を推奨致します。

仕様ピッチパターン2um , 50um , 500um
精度±0.25um (500um ピッチ)
±0.1um (2um , 50um ピッチ)
パターン高さ0.1um
総寸法9.0×9.0×2.3mm
適用倍率10倍~50,000倍
適用顕微鏡SEM (二次電子像、反射電子像) , TEM (反射電子像)
AFM , STM , SPM , 光学顕微鏡
適用補正ディストーション補正
チルトアングル補正
CRT , レンズ焦点補正
基板石英ガラス上にCr(70nm)/Cr2Oの膜パターンニング



geller(ゲラー社製) MRS-3


Cat No.品名仕様
S1990MRS-3Non Traceable
S1990-XYXY Traceable
S1990-XYZXYZ Traceable
S1993Retainerφ25.4×3.18mm(t)
AL (Niコーティング)
S1993APin stub for Retainerφ25.4×φ3.2mm(Pin)
S1993MM4 stub for Retainerφ25×10mm(h)
S1993B光学顕微鏡用アダプター44.5×25.4×3.2mm(t)
AL (Niコーティング)
S1990R-XYXY 再較正/クリーニング/再コーティング
S1990R-XYZXYZ 再較正/クリーニング/再コーティング

Geller(ゲラー)社製
MRS-4 顕微鏡用倍率較正スタンダード



geller(ゲラー社製) MRS-4
geller(ゲラー社製) MRS-4

 高精度の直接書込み電子ビーム製造機器で形成されています。パターンは、石英上に反射防止クロム(70nm Cr上に30nm Cr2O)で構成されています。二次電子像及び反射電子像ともに高い分解能を提供します。パターンは、全ての加速電圧におけるSEMの結像を可能にする、適切な導電性を有する材料で被膜されています。
 MRS-4は、1/2um, 1um, 2um, 50um, 500umのピッチで、入れ子構造の四角形の集合を有します。最大パターンは8×8mm 500umピッチパターンで10~100倍の倍率に、50umピッチパターンは100~1000倍の倍率に用います。2, 1, 1/2umピッチパターンは、最大20万倍の倍率較正に用いることができます。試料には、長さ6mm(X及びY), 1um刻みのマイクロ定規が搭載されています。 総寸法は約9×9×2.3mmです。パターンは石英上に構成されており非常に脆いため、オプションの保護リテイナーの使用を推奨致します。

仕様ピッチパターン0.5um , 1um
2um , 50um , 500um
精度±0.25um (500um ピッチ)
±0.1um (2um , 50um ピッチ)
±0.04um (1um , 0.5um ピッチ)
パターン高さ0.1um
総寸法9.0×9.0×2.3mm
適用倍率10倍~200,000倍
適用顕微鏡SEM (二次電子像、反射電子像) , TEM (反射電子像)
AFM , STM , SPM , 光学顕微鏡
適用補正ディストーション補正
チルトアングル補正
CRT , レンズ焦点補正
基板石英ガラス上にCr(70nm)/Cr2Oの膜パターンニング

Cat No.品名仕様
S2005MRS-4Non Traceable
S2005-XYXY Traceable
S2005-XYZXYZ Traceable
S1993Retainerφ25.4×3.18mm(t)
AL (Niコーティング)
S1993APin stub for Retainerφ25.4×φ3.2mm(Pin)
S1993MM4 stub for Retainerφ25×10mm(h)
S1993B光学顕微鏡用アダプター44.5×25.4×3.2mm(t)
AL (Niコーティング)
S2005R-XYXY 再較正/クリーニング/再コーティング
S2005R-XYZXYZ 再較正/クリーニング/再コーティング

Geller(ゲラー)社製
MRS-6 顕微鏡用倍率較正スタンダード



geller(ゲラー社製) MRS-6



精度(各ピッチ)±3nm
パターン高さ15nm
総寸法3.2×3.2×0.5mm
適用倍率1,500倍~1,000,000倍
各種用途電子顕微鏡SEM (二次電子像、反射電子像)
TEM (バルク)
SMPSTM, AFM, 触針・光学表面形状計測
光学顕微鏡反射、明視野・暗視野
位相コントラスト、共焦点
化学マッピングEDS, WDS, XRF, XPS, AES他
分解能テスト3バーパターンを使用
USAF1953に類似
線形性テスト複数サイズの
ピッチパターンを利用
基板Si単結晶上にCr膜パターンニング
完全導電性/優れたエッヂ解像力
パターンピッチ(線と隙間部分の幅)
ネスティング
ボックス
2um1um500nm200nm
4ヶ
100nm
4ヶ
80nm
4ヶ
直線性グリッド1um
3バー
ターゲット
3um2um1.5um1um900nm800nm
700nm600nm500nm400nm300nm200nm
100nm80nm

geller(ゲラー社製) MRS-6

geller(ゲラー社製) MRS-6

 高精度の直接書込み電子ビーム製造機器で形成されています。パターンは、Si単結晶上に15nm厚のクロムフィルムで構成されており、1,500~1,000,000倍の倍率に対応します。電界放出SEM及び最新のタングステンSEMまたはLab6 SEMの二次電子及び反射電子モードにおいてイメージングコントラストが可能です。全寸法は3.2×3.2×0.5mm(厚さ)です。MRS-6は全体に導電性を有するため、コーティングは必要ありません。スタンダードは、低出力の酸素プラズマエッチングで洗浄が可能です。スタンダードは非常に脆いため、Pin Stub又はHitachi M4 Stubへのマウント(S2010又はS2011)を推奨致します。
 MRS-6は、米国NISTと相互承認協定(ISO)を締結している英国国立物理研究所(NPL)によって較正されています。

Cat No.品名仕様
S2009-MRSMRS-6Non Traceable
S2009-MRS-XYXY Traceable
S2010Mounting on Pin stubφ12.7×φ3.2mm(Pin)
S2011Mounting on Hitachi M4 stubφ15mm
S2009-MRS-RXY 再較正/クリーニング/再コーティング

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