孔開きシリコンナイトライド(Si3N4)支持膜

 最新の半導体及び特許を受けたMEMS技術によって、ナノテクノロジー・分子生物学研究のために開発された孔開きSi3N4支持膜です。非常にストレスの低い無機窒化ケイ素と確かな技術で製造されており、非常に高品質です。化学的(耐溶剤、耐酸性、耐塩基性)・機械的に優れており、1000℃までの温度に耐えます。幅広い温度間において、動的な反応のその場観察を可能にしますので、微粒子や細胞のナノテク実験に適しています。グロー放電又はプラズマクリーニングにより簡単に洗浄が可能です。
 こちらの製品にグラフェンフィルムを備えた製品も取り扱っております。

 φ3mmのシリコンフレームは、標準的なTEMホルダーに適合します。膜の孔径は1.25um・1um・750nm・500nm・400nm・300nm・250nm・200nm・100nm・MIXタイプから選択できます。MIXタイプは300nm~1000nmまで6種類のサイズの孔が配列されています。

 ● シリコンフレーム: φ3mm 厚さ200um
 ● ウィンドウサイズ: 0.5×0.5mm
 ● Si3N4膜厚: 200nm
 ● 表面粗さ: RMS(Rq) 0.65±0.06nm (Ra) 0.45±0.02nm


Holey Silicon Nitride


Cat No.孔径
(nm)
ピッチ
(µm)
配列A
(µm)
B
(µm)
枚数価格(¥)
S190-125012502.532×32802101099,000
S190-100010002.040×4075212.5
S190-7507501.550×5080210
S190-5005001.075×7575212.5
S190-4004000.8100×10080210
S190-3003000.6125×12575212.5
S190-2502500.5150×15075212.5
S190-2002000.4200×20080210
S190-1001000.2375×37575212.5

Cat No.孔径
(nm)
ピッチ
(µm)
配列枚数価格(¥)
S190-MIX10002.012×121099,000
7501.517×17
5001.025×25
4000.831×31
3500.642×42
3000.550×50




Silicon Dioxide (SiO2) Support Film

Silicon Dioxide Support Film

Silicon Dioxide 2酸化ケイ素

 新たな圧力抑制技術と統合させた最先端のMEMS製造技術により比類ない平面性を有する、真に次世代的な二酸化ケイ素支持膜です。非常に優れた平面性を有しており、その平面性は競合製品の少なくとも10倍です。二酸化ケイ素は、純粋かつ非晶質の熱可逆性SiO2膜で構成されています。0.5×0.5mmの膜は、50×50um~70×70umの各24個の孔にパターン化されており、熱着の二酸化ケイ素へとエッチングされているため、40, 18, 8nm厚の無構造のSiO2の提供を可能にしており、200nmの光学的に透明なSi3N4サポートメッシュにより懸濁されています。SiO2のメッシュサイズは300及び400meshの多くのTEMグリッドに見られる領域サイズに匹敵し、多くの用途に対し実際的なサイズであると評価されています。熱酸化シリコンは、分析的化学において最も機能性の高い表面を有しており、基材及び生物学的実態の研究時にプラットフォームとして使用することができます。SiO2膜は優れた化学的、物理的、熱的安定性を有しています。特性は、コーティングにより変更又は強化することができます。また、薄膜は、SiO2膜上に直接置くことで、特性を調べることができます。8nmの超薄SiO2膜は、集束イオンビームを用いてカスタムメードの孔を製造できるほど弾力性があります。
Frame Size: φ3.0mm 厚さ 200um - 標準のTEMグリッドホルダーに収納できます。
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Cat No.Windows Area膜厚孔サイズ枚数価格(¥)
M32010.5×0.5
(mm)
8nm70×70um(24)1096,000
M320218nm60×60um(24)80,000
M320340nm50×50um(24)70,000





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