化学気相成長グラフェン <CVD Graphene>

 APPLICATIONS
● グラフェンエレクトロニクス ● 導電性コーティング ● 航空宇宙産業
● MEMS及びNEMS ● 化学/バイオセンサー ● 金属触媒の支持
● マイクロアクチュエイター ● グラフェン多機能材料

ニッケル箔上多層グラフェン
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ニッケル箔上多層グラフェン

 グラフェンフィルムはニッケル箔上で成長し、ニッケル表面ステップおよび粒界にわたり連続的です。グラフェンフィルムは均一ではなく、継ぎはぎ状になっており、パッチ毎に厚みが違います。
(パッチサイズ約3-10μm)

グラフェン膜厚: 300単分子層 (105nm)
ニッケル箔厚: 25μm サイズ: 50×50mm

Cat No.サイズ枚数
G-3450×50mm1

銅箔上単層グラフェン

銅箔上単層グラフェン

 グラフェンフィルムは銅箔(両面)上で成長し、銅箔表面ステップおよび粒界にわたり連続的です。銅箔のエッチングにより、ガラス、酸化シリコン又はプラスチックフィルム等他の基板にグラフェン膜を移すことができます。

銅箔厚: 25μm
サイズ: 50×50mm 及び 100×100mm

Cat No.サイズ枚数
G-3550×50mm1
G-35M50×100mm
G-35L100×100mm

PET上単層グラフェン

PET上単層グラフェン

CVD処理によって成長した銅箔上の単層グラフェンフィルムをPET (Polyethylene terephthalate) 上に転写。

グラフェン被膜率: 約95%
PET基板厚: 175μm
シート抵抗: 660-1500Ω

Cat No.サイズ枚数
G-3725×25mm1
G-37M5

ガラス基板上単層グラフェン

ガラス基板上単層グラフェン

<特性>
 グラフェンフィルムの厚さ及び品質はラマン分光法によって制御されます。グラフェン被覆範囲約95%。グラフェンフィルムは連続的ですが、所々穴および亀裂があります。グラフェンフィルムは異なる結晶方位を備えた粒子から成る多結晶です。ガラス基板の仕様はこちらをご参照ください。

ガラス基板厚: 700μm 基板密度: 2.38g/cc
グラフェン電気抵抗: 660-1500Ω
グラフェンフィルム透過率: 97%以上

Cat No.サイズ枚数
G-38-225×25mm1
G-38-2M5

石英基板上単層グラフェン
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石英基板上単層グラフェン

基板密度: 2.21g/cm3
グラフェン被膜率: 95%
グラフェン電気抵抗: 660-1500Ω
グラフェンフィルム透過率: 97%以上
ヌープ硬度: >600kg/mm2

Cat No.サイズ枚数
G-38-325×25mm1
G-38-3M5

SiO<sub>2</sub>ウェハー上単層グラフェン
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SiO2上<単層>グラフェン(10×10mm)

<特性>
 グラフェンフィルムの厚さ及び品質はラマン分光法によって制御されます。グラフェン被覆範囲約95%。グラフェンフィルムは連続的ですが、所々穴および亀裂があります。グラフェンフィルムは異なる結晶方位を備えた粒子から成る多結晶です。

Si基板サイズ: 10×10mm 525μm(thick)
酸化膜厚: 285nm(G-42)/90nm(G-43)
グラフェン電気抵抗: 660-1500Ω
基板電気抵抗: 0.001-0.005 ohm-cm
キャリア移動度: 49.31-60.75 cm2/Vs
タイプ/ドーパント: P型/ボロン
表面/裏面: ポリッシュ/エッチング

Cat No.酸化膜厚枚数
G-42-5285nm5
G-42-1010
G-43-590nm5

SiO<sub>2</sub>ウェハー上多層グラフェン

SiO2上<多層>グラフェン(10×10mm)

Si基板サイズ: 10×10mm 525μm(thick)
酸化膜厚: 285nm
グラフェン膜厚: 1~7分子層 (平均4分子層)
グラフェン電気抵抗: 500-1500Ω
基板電気抵抗: 0.001-0.005 ohm-cm
タイプ/ドーパント: P型/ボロン
表面/裏面: ポリッシュ/エッチング

Cat No.枚数
G-44-55
G-44-1010

SiO<sub>2</sub>ウェハー上単層/2分子層グラフェン
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SiO2上<単層/2分子層>グラフェン

Si基板サイズ: 10×10mm 525μm(thick)
酸化膜厚: 285nm
グラフェン電気抵抗: 500-1500Ω
基板電気抵抗: 0.001-0.005 ohm-cm
タイプ/ドーパント: P型/ボロン
表面/裏面: ポリッシュ/エッチング

Cat No.酸化膜厚枚数
G-45285nm10

SiO<sub>2</sub>ウェハー上2分子層グラフェン

SiO2上<2分子層>グラフェン

Si基板サイズ: 10×10mm 525μm(thick)
酸化膜厚: 285nm
グラフェン電気抵抗: 215-700Ω
基板電気抵抗: 0.001-0.005 ohm-cm
タイプ/ドーパント: P型/ボロン
表面/裏面: ポリッシュ/エッチング

Cat No.酸化膜厚枚数
G-45R-4285nm4
G-45R-88

3D多層グラフェンNiフォーム
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3D多層グラフェンNiフォーム

厚さ: 1.2mm 密度: 320mg/cm2
細孔サイズ: 580μm

Cat No.サイズ枚数
G-4850×50mm1
G-48L50×100mm

3D多層グラフェンフォーム(支柱無し)

3D多層グラフェンフォーム(支柱無し)

厚さ: 1.2mm 密度: 4mg/cm3
細孔サイズ: 580μm
カーボン含有量: 99% (金属支柱無し)

Cat No.サイズ枚数
G-4950×50mm1

ボロンナイトライド <BN>

銅箔上多層h-BNフィルム

銅箔上多層h-BNフィルム

 h-BNは直接遷移(5.97 eV)の絶縁体です。非常に強い共有結合(sp2)により、グラフェンに近い機械的強度と熱伝導性があり、又グラフェン以上の化学的安定性があります。Air雰囲気下で1000℃まで安定 (グラフェンは600℃)。

BN被膜率: 90-95% (極少数の穴有り)
BNフィルム平均厚: 13nm
TEMにより品質確認済
銅箔サイズ: 50×25mm
銅箔フィルム厚: 20μm

Cat No.
G-53

銅箔上単層h-BNフィルム
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銅箔上単層h-BNフィルム

BN被膜率: 90-95% (極少数の穴有り)
TEMにより品質確認済
銅箔サイズ: 50×25mm
銅箔フィルム厚: 20μm

Cat No.
G-54

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