APPLICATIONS
● グラフェンエレクトロニクス ● 導電性コーティング ● 航空宇宙産業
● MEMS及びNEMS ● 化学/バイオセンサー ● 金属触媒の支持
● マイクロアクチュエイター ● グラフェン多機能材料
ニッケル箔上多層グラフェン
グラフェンフィルムはニッケル箔上で成長し、ニッケル表面ステップおよび粒界にわたり連続的です。グラフェンフィルムは均一ではなく、継ぎはぎ状になっており、パッチ毎に厚みが違います。
(パッチサイズ約3-10μm)
グラフェン膜厚: 300単分子層 (105nm)
ニッケル箔厚: 25μm サイズ: 50×50mm
Cat No. | サイズ | 枚数 |
---|---|---|
G-34 | 50×50mm | 1 |
銅箔上単層グラフェン
グラフェンフィルムは銅箔(両面)上で成長し、銅箔表面ステップおよび粒界にわたり連続的です。銅箔のエッチングにより、ガラス、酸化シリコン又はプラスチックフィルム等他の基板にグラフェン膜を移すことができます。
銅箔厚: 25μm
サイズ: 50×50mm 及び 100×100mm
Cat No. | サイズ | 枚数 |
---|---|---|
G-35 | 50×50mm | 1 |
G-35M | 50×100mm | |
G-35L | 100×100mm |
PET上単層グラフェン
CVD処理によって成長した銅箔上の単層グラフェンフィルムをPET (Polyethylene terephthalate) 上に転写。
グラフェン被膜率: 約95%
PET基板厚: 175μm
シート抵抗: 660-1500Ω
Cat No. | サイズ | 枚数 |
---|---|---|
G-37 | 25×25mm | 1 |
G-37M | 5 |
ガラス基板上単層グラフェン
<特性>
グラフェンフィルムの厚さ及び品質はラマン分光法によって制御されます。グラフェン被覆範囲約95%。グラフェンフィルムは連続的ですが、所々穴および亀裂があります。グラフェンフィルムは異なる結晶方位を備えた粒子から成る多結晶です。ガラス基板の仕様はこちらをご参照ください。
ガラス基板厚: 700μm 基板密度: 2.38g/cc
グラフェン電気抵抗: 660-1500Ω
グラフェンフィルム透過率: 97%以上
Cat No. | サイズ | 枚数 |
---|---|---|
G-38-2 | 25×25mm | 1 |
G-38-2M | 5 |
石英基板上単層グラフェン
基板密度: 2.21g/cm3
グラフェン被膜率: 95%
グラフェン電気抵抗: 660-1500Ω
グラフェンフィルム透過率: 97%以上
ヌープ硬度: >600kg/mm2
Cat No. | サイズ | 枚数 |
---|---|---|
G-38-3 | 25×25mm | 1 |
G-38-3M | 5 |
SiO2上<単層>グラフェン(10×10mm)
<特性>
グラフェンフィルムの厚さ及び品質はラマン分光法によって制御されます。グラフェン被覆範囲約95%。グラフェンフィルムは連続的ですが、所々穴および亀裂があります。グラフェンフィルムは異なる結晶方位を備えた粒子から成る多結晶です。
Si基板サイズ: 10×10mm 525μm(thick)
酸化膜厚: 285nm(G-42)/90nm(G-43)
グラフェン電気抵抗: 660-1500Ω
基板電気抵抗: 0.001-0.005 ohm-cm
キャリア移動度: 49.31-60.75 cm2/Vs
タイプ/ドーパント: P型/ボロン
表面/裏面: ポリッシュ/エッチング
Cat No. | 酸化膜厚 | 枚数 |
---|---|---|
G-42-5 | 285nm | 5 |
G-42-10 | 10 | |
G-43-5 | 90nm | 5 |
SiO2上<多層>グラフェン(10×10mm)
Si基板サイズ: 10×10mm 525μm(thick)
酸化膜厚: 285nm
グラフェン膜厚: 1~7分子層 (平均4分子層)
グラフェン電気抵抗: 500-1500Ω
基板電気抵抗: 0.001-0.005 ohm-cm
タイプ/ドーパント: P型/ボロン
表面/裏面: ポリッシュ/エッチング
Cat No. | 枚数 |
---|---|
G-44-5 | 5 |
G-44-10 | 10 |
SiO2上<単層/2分子層>グラフェン
Si基板サイズ: 10×10mm 525μm(thick)
酸化膜厚: 285nm
グラフェン電気抵抗: 500-1500Ω
基板電気抵抗: 0.001-0.005 ohm-cm
タイプ/ドーパント: P型/ボロン
表面/裏面: ポリッシュ/エッチング
Cat No. | 酸化膜厚 | 枚数 |
---|---|---|
G-45 | 285nm | 10 |
SiO2上<2分子層>グラフェン
Si基板サイズ: 10×10mm 525μm(thick)
酸化膜厚: 285nm
グラフェン電気抵抗: 215-700Ω
基板電気抵抗: 0.001-0.005 ohm-cm
タイプ/ドーパント: P型/ボロン
表面/裏面: ポリッシュ/エッチング
Cat No. | 酸化膜厚 | 枚数 |
---|---|---|
G-45R-4 | 285nm | 4 |
G-45R-8 | 8 |
3D多層グラフェンNiフォーム
厚さ: 1.2mm 密度: 320mg/cm2
細孔サイズ: 580μm
Cat No. | サイズ | 枚数 |
---|---|---|
G-48 | 50×50mm | 1 |
G-48L | 50×100mm |
3D多層グラフェンフォーム(支柱無し)
厚さ: 1.2mm 密度: 4mg/cm3
細孔サイズ: 580μm
カーボン含有量: 99% (金属支柱無し)
Cat No. | サイズ | 枚数 |
---|---|---|
G-49 | 50×50mm | 1 |
銅箔上多層h-BNフィルム
h-BNは直接遷移(5.97 eV)の絶縁体です。非常に強い共有結合(sp2)により、グラフェンに近い機械的強度と熱伝導性があり、又グラフェン以上の化学的安定性があります。Air雰囲気下で1000℃まで安定 (グラフェンは600℃)。
BN被膜率: 90-95% (極少数の穴有り)
BNフィルム平均厚: 13nm
TEMにより品質確認済
銅箔サイズ: 50×25mm
銅箔フィルム厚: 20μm
Cat No. |
---|
G-53 |
銅箔上単層h-BNフィルム
BN被膜率: 90-95% (極少数の穴有り)
TEMにより品質確認済
銅箔サイズ: 50×25mm
銅箔フィルム厚: 20μm
Cat No. |
---|
G-54 |