硫化ガリウム Gallium Sulfide (GaS)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 淡黄色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ---- |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12024-10-1 |
硫化ガリウムは、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は六方晶系で層状構造をしているため、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。
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セレン化ガリウム Gallium Selenide (GaSe)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 茶色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~10mm |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12024-11-2 |
セレン化ガリウムは間接遷移を有する半導体で、光学で使用されます。結晶は六方晶系で層状構造をしているため、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。
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硫化ゲルマニウム Germanium Sulfide (GeS)
タイプ: 合成 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ---- |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12025-32-0 |
硫化ゲルマニウムは薄い金属結晶になります。結晶は層状構造をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。
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セレン化ゲルマニウム Germanium Selenide (GeSe)
タイプ: 合成 | 直接遷移(単層): 1.3eV |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: 3-5mm |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12065-10-0 |
二硫化ハフニウム Hafnium Sulfide (HfS2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 透明な臙脂色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ---- |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 18855-94-2 |
二硫化ハフニウムは間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造をしているため、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二セレン化ハフニウム Hafnium Selenide (HfSe2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~8mm |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12162-21-9 |
二セレン化ハフニウムは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。板状の結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。
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三セレン化二インジウム Indium Selenide (In2Se3)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~7mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12056-07-4 |
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天然二硫化モリブデン Molybdenum Disulfide (MoS2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 天然 | 色: 黒銀色 |
純度: >99% | 結晶サイズ: ~10mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman | CAS No.: 1317-33-5 |
二硫化モリブデンは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。
合成二硫化モリブデン Molybdenum Disulfide (MoS2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒銀色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~10mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman | CAS No.: 1317-33-5 |
二硫化モリブデンは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。P型・N型が選択できます。
Cat No. |
SE-MOS2-P (SE-MOS2-N) |
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二セレン化モリブデン Molybdenum Diselenide (MoSe2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 銀灰色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~10mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12058-18-3 |
二セレン化モリブデンは遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)で、単層は電子的に直接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二テルル化モリブデン Molybdenum Ditelluride (MoTe2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~6-10mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12058-20-7 |
二テルル化モリブデンは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、機械的に容易にへき開面に沿って割ることができます。
Cat No. | 結晶構造 |
SE-MOTE2-1T | 1T' |
SE-MOTE2-2H | 2H |
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二硫化レニウム Rhenium Sulfide (ReS2)
結晶構造: 三斜晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒銀色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~6-8mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12038-63-0 |
二硫化レニウムは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は花びらのような層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二セレン化レニウム Rhenium Selenide (ReSe2)
結晶構造: 三斜晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒メタリック色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~6mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12038-64-1 |
二セレン化レニウムは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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黒リン単結晶 Black Phosphorus
結晶構造: 斜方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 銀灰色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~10mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, EDX | CAS No.: 7803-51-2 |
黒リン単結晶は約0.3eVのバンドギャップを有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二硫化スズ Tin Sulfide (SnS2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 透明な橙黄色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: 10mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 1315-01-1 |
二硫化スズは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二セレン化スズ Tin Selenide (SnSe2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒銀色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~8mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 20770-09-6 |
二セレン化スズは遷移金属ダイカルコゲナイドで、電子的に間接遷移を有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二硫化タンタル Tantalum Sulfide (1T'-TaS2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ---- | 特性: 半導体・CDW |
キャラクタライズ: XRD, Raman | CAS No.: 12143-72-5 |
二硫化タンタルは遷移金属ダイカルコゲナイドです。最低温相における1T型二硫化タンタル (1T'-TaS2) は電荷密度波 (CDW) 超構造を有します。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二硫化タンタル Tantalum Sulfide (2H-TaS2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ---- | 特性: 半導体・CDW |
キャラクタライズ: XRD, Raman | CAS No.: 12143-72-5 |
二硫化タンタルは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二セレン化タンタル Tantalum Selenide (TaSe2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~8mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman | CAS No.: 12039-55-3 |
二セレン化タンタルは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二硫化タングステン Tungsten Disulfide (WS2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 銀灰色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~10mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12138-09-9 |
単層二硫化タングステンは室温フォトルミネッセンスを示します。二硫化タングステンは、水素やリチウムの貯蔵や固体潤滑剤としても使用されてきました。
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二セレン化タングステン Tungsten Diselenide (WSe2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 銀灰色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~10mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, ICP, EDX |
CAS No.: 12067-46-8 |
二セレン化タングステンは6族遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)で、約1.35eVのバンドギャップを有する半導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二テルル化タングステン Tungsten Ditelluride (WTe2)
結晶構造: 斜方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 銀灰色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ---- | 特性: 半金属・半導体 |
キャラクタライズ: XRD, EDAX | CAS No.: 12067-76-4 |
二テルル化タングステンは6族遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二硫化ニオブ Niobium Sulfide (NbS2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒銀色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~4mm | 特性: 超伝導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12136-97-9 |
二硫化ニオブは、Tc(転移温度)約6Kの超伝導体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二セレン化ニオブ Niobium Selenide (2H-NbSe2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒銀色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~8mm | 特性: 超伝導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12034-77-4 |
二セレン化ニオブは遷移金属ダイカルコゲナイドで、Tc(転移温度)約7.2Kの超伝導体です。30K以上で電荷密度波転移を示すことが報告されています。結晶は層状構造をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二セレン化チタン Titanium Selenide (1T-TiSe2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 銅-黒メタリック色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ---- | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman | CAS No.: 12067-45-7 |
二セレン化チタンは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二テルル化チタン Titanium Ditelluride (TiTe2)
結晶構造: 六方晶系 | CAS No.: 12067-75-3 | タイプ: 合成 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: >5mm | 特性: 半導体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman |
二テルル化チタンは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
窒化ホウ素 hexagonal Boron Nitride (h-BN)
結晶構造: 六方晶系 | CAS No.: 10043-11-5 | タイプ: 合成 |
純度: >99.99% | キャラクタライズ: XRD, Raman | 特性: 絶縁体 |
結晶サイズ: 1-1.5mm (厚さ100um) |
純度99.99%以上で最高品質の六方晶窒化ホウ素結晶は科学研究に最適です。h-BN結晶状に転写された単結晶グラフェンは超高移動度を示します。また、単結晶h-BNは、非常に大きな降伏電圧(>0.4V/nm)が表すように、優れた絶縁体です。大きいサイズのh-BN単結晶は基板(SiO2,ポリマー,石英等)上でへき開することができます。へき開された結晶は原子的に平坦で、AFM(原子力顕微鏡)下で非常に清浄な表面を見ることができます(汚染の痕跡がありません)。他社製品にはへき開面に汚染物質が多数見受けられることがあり、この特性は重要です。h-BN結晶はガラスバイアルに密封されています。
h-BNは、グラファイトと同様に弱いファンデルワールス力により結合されており、容易にへき開面に沿って割ることができます。h-BN単層は、ホウ素と窒素原子の共有結合により、非常に強く結合しています。空気中で1000℃、真空中で1400℃まで、優れた熱安定性を示します。
h-BNのへき開特性 : スコッチテープ法を用いてSiO2, 石英, PMMA等の表面上でへき開することができます。へき開の品質は、SiO2上でのへき開に比べ、PMMAなどのポリマー上でのへき開のほうが遥かに優れます。一般的にPMMA上では、SiO2上に比べ容易に大きいサイズのh-BN単層が見つかります。
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セレン化ビスマス Bismuth Selenide (Bi2Se3)
結晶構造: 菱面体晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒銀色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~10mm | 特性: トポロジカル絶縁体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12068-69-8 |
セレン化ビスマスはトポロジカル絶縁体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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テルル化ビスマス Bismuth Telluride (Bi2Te3)
結晶構造: 菱面体晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒銀色 |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~10mm | 特性: トポロジカル絶縁体 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 1304-82-1 |
テルル化ビスマスはトポロジカル絶縁体です。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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高配向性熱分解黒鉛 Highly Oriented Pyrolitic Graphite (HOPG)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | グレード: ZYA |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~12×12×2mm | 特性: 半金属 |
キャラクタライズ: XRD, Raman |
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ニセレン化白金 Platinum Selenide (PtSe2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 黒銀色 |
純度: >99.99% | 結晶サイズ: ~2mm | 特性: 半金属 |
キャラクタライズ: XRD, Raman, ICP, EDAX |
CAS No.: 12038-26-5 |
セレン化白金は遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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二硫化チタン Titanium Sulfide (TiS2)
結晶構造: 六方晶系 | タイプ: 合成 | 色: 金メタリック |
純度: >99.995% | 結晶サイズ: ~10mm | 特性: 半金属 |
キャラクタライズ: XRD, Raman | CAS No.: 12039-13-3 |
ニ硫化チタンは遷移金属ダイカルコゲナイドです。金属リチウム電池の正極材として一般的に使用されています。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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ニセレン化バナジウム Platinum Selenide (VSe2)
タイプ: 合成 | 色: 黒 | 純度: >99.995% |
結晶サイズ: ~7-10mm | キャラクタライズ: XRD |
CAS No.: 12299-51-3 |
二セレン化バナジウムは遷移金属ダイカルコゲナイドです。結晶は層状構造(ファンデルワールス力により結合)をしており、容易にへき開面に沿って割ることができます。
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