• Nano GridsTM/C-SMART GridsTM

ナノグリッド <Nano GridsTM

Nano Grids
Nano Grids




 Nano GridsTMはサンプルの質を高める官能基化されたSiO2, Si3N4 膜を備えたグリッドです。Nano GridsTMは、TEM, SEM, AFM EPMA, XPS, TOF-SIMS, 蛍光顕微鏡検査法, IR/ラマン分光法によるナノ粒子・ナノ材料の、再生・繰り返しが可能で正確な計測の新しい新基準を定めます。

 Nano GridsTMは、サンプル調整時の凝集作用や乾燥などの現象を排除しデータの質を高めると共に、データの収集・分析の貴重な時間を節約できます。Nano GridsTMの官能基化した表面が対象物と調和することで、ナノ粒子スラリー・溶液・懸濁液・エアロゾル・ドライパウダー・ナノ材料薄膜コーティングの試料作製に役立ちます。これらの利点は、C-SMART 官能基化カーボンフィルムグリッドにおいても同様にあります。

 ほぼ全ての物質の均一分散を可能にするため、SiO2, Si3N4, カーボンの3種類の膜及び多様な活性表面のグリッドをご提供しています。物理的・化学的・熱的に強い特性を持つシリコン基板のNano GridsTMは、多段処理及び相関的特性評価を可能にします。

Nano Grids







表面機能化カーボンTEMグリッド <C-SMART GridsTM

CSMART GRID

 C-SMART Gridsは官能基化されたカーボンフィルムTEMグリッド゙です。電子顕微鏡の試料調整を簡素化。
 Cryo-EM・トモグラフィー・単一粒子分析・生物学的な電子顕微鏡のための理想的なグリッドです。

CSMART GRID


C-SMART

C-SMART

 C-SMART Plus グリッド上30nm 金ナノ粒子(NIST SRM8012)(左図)と未処理グリッド(右図)の比較。グリッドは5分間溶液でインキュベーションし、その後洗浄処理。

 C-SMART Minusグリッド上にtrimethylammoniumethanethiol (TMAT)で固定した0.8nm 金ナノ粒子。
(FEI T12 Spiritで高倍率撮像)

C-SMART

C-SMART

 C-SMART Plus グリッド上30nm 金ナノ粒子(NIST SRM8012) グリッド全体の表面にわたり均一な堆積。倍率:5,600倍

 C-SMART Plus グリッド上10nm金ナノ粒子(NIST SRM8011) TEM画像







Nano GridsTM/C-SMART GridsTM シリーズ

NanoBasic TEMグリッド

 NanoBasic TEMグリッドは、金属やセラミックナノ粒子、高分子化合物やカーボンナノチューブ等ほぼ全てのナノ素材におけるTEM試料調整のプラットフォームとしての汎用性及び高作業性を提供します。Nano Basicグリッドは、高解像度ナノスケール像のために極低バックグラウンドを提供する超薄サーマルSiO2、又はLPCVD(減圧化学蒸着)Si3N4膜を備えた薄いシリコンウェハーの微細加工により製作された、官能基化されていない親水性のTEMグリッドです。

 NanoBasicグリッドは、ナノ材料のドロップキャスティング、浸漬コーティング、蒸着、自己組織化、エアロゾル沈着など幅広いTEM試料調整に適します。ヒドロキシル基の表面は、水溶液を容易に湿らせることができる親水性の表面をつくります。薄膜は直接グリッド上に蒸着することができます。NanoBasicグリッドは、強い酸や溶剤による洗浄等幅広い化学的処理に対し強い耐久性を持ちます。また、1000℃まで加熱することができ、処理条件に対する試料観察の多段処理のために比類ない能力を提供します。

 Nano Basicグリッドは、TEMに加えSEM,AFM,表面分析測定に適しており、さらに、同じ試料上で直接相関分析を可能にする光学分光にも適します。

Nano Basic Grid

 (左図) Nano Basicグリッドの接触角測定 (中図) ドロップキャスティングにより沈着させた40nmの立方体コバルトナノ結晶のTEM明視野像 (右図) ドロップキャスティングにより沈着させた4nm 酸化亜鉛 ナノ結晶のTEM明視野像。

Cat No.膜タイプグリッドタイプ枚数価格(¥)
NG00-011A膜無しA
50×50um (55)
(Si Wafar Grid)
1064,000
NG01-011A25nm SiO2
NG02-011A75nm SiO2
NG04-011A15nm SiN
NG00-011B膜無しB
100×100um (35)
NG01-011B25nm SiO2
NG02-011B75nm SiO2
NG04-011B15nm SiN
NG00-011C膜無しC
50um×1-2mm (9)
NG01-011C25nm SiO2
NG02-011C75nm SiO2
NG04-011C15nm SiN
NG05-011N5nm SiNN
60×100um (4)
NG06-011N20nm SiN

→表面機能化カーボングリッド各種






NanoPlus TEMグリッド

Nano Grids

 NanoPlus TEMグリッドは親水性で、正電荷を帯びたメンブレンウィンドウを備えています。負電荷を帯びた粒子は、シンプルに浸す若しくは溶液の小滴に浮かすだけで、静電相互作用によりグリッド表面に接着します。この迅速な試料作製法は、凝集を最小限にし、グリッド全域での均一分布をもたらします。

 NanoPlus TEMグリッドは、官能基化カーボン・SiO2・Si3N4メンブレンウィンドウで利用できます。これらのメンブレンは、金属クエン酸塩及びコロイド状ナノ粒子, カーボンブラック, 高分子ビーズ, 金属酸化物及びセラミック, 官能基化金属, 半導体ナノ粒子を含む幅広い材料に親和性を持ちます。NanoPlusグリッドは、NIST (National Institute of Standards and Technology)の最近の研究 (スタンダードリファレンス金ナノ粒子を使用した、ナノ材料特性評価のための基準設定)に使用された、他のグリッドと一線を画すTEMグリッドです。銀粒子の規格化特性評価にも使用されています。

Cat No.膜タイプグリッドタイプ枚数価格(¥)
NG00-051A膜無しA
50×50um (55)
(Si Wafar Grid)
1076,000
NG01-051A25nm SiO2
NG02-051A75nm SiO2
NG04-051A15nm SiN
NG00-051B膜無しB
100×100um (35)
NG01-051B25nm SiO2
NG02-051B75nm SiO2
NG04-051B15nm SiN
NG00-051C膜無しC
50um×1-2mm (9)
NG01-051C25nm SiO2
NG02-051C75nm SiO2
NG04-051C15nm SiN

C-SMART PLUS Grids <表面機能化カーボングリッド>
Cat No.Typemesh材質枚数価格(¥)
SC01-051AA (10nm C)400Cu2579,000
SC01-051BB (3nm C on Holey C)
SCG1-051AC (10nm C)1062,000
SCG1-051BC (3nm C on Holey C)

→表面機能化カーボングリッド各種






NanoMinus TEMグリッド

Nano Grids

 NanoMinus TEMグリッドは親水性で、負電荷を帯びたメンブレンウィンドウを備えています。正電荷を帯びた粒子は、シンプルに浸す若しくは溶液の小滴に浮かすだけで、静電相互作用によりグリッド表面に接着します。この迅速な試料作製法は、凝集を最小限にし、グリッド全域での均一分布をもたらします。また、エアロゾル沈着、浸漬コーティング、ドロップキャスティング法を使用した試料作製の再現性が改善します。

 NanoMinus TEMグリッドは、官能基化カーボン・SiO2・Si3N4メンブレンウィンドウで利用できます。これらのメンブレンは、第四級アミン及び第一級アミン誘導体化粒子、リジンコート粒子、ルイス酸、陽イオン性材料を含む多様なナノ材料のTEM試料調整を補助します。

Cat No.膜タイプグリッドタイプ枚数価格(¥)
NG00-071A膜無しA
50×50um (55)
(Si Wafar Grid)
1076,000
NG01-071A25nm SiO2
NG02-071A75nm SiO2
NG04-071A15nm SiN
NG00-071B膜無しB
100×100um (35)
NG01-071B25nm SiO2
NG02-071B75nm SiO2
NG04-071B15nm SiN
NG00-071C膜無しC
50um×1-2mm (9)
NG01-071C25nm SiO2
NG02-071C75nm SiO2
NG04-071C15nm SiN

C-SMART MINUS Grids <表面機能化カーボングリッド>
Cat No.Typemesh材質枚数価格(¥)
SC01-071AA (10nm C)400Cu2579,000
SC01-071BB (3nm C on Holey C)
SCG1-071AC (10nm C)1062,000
SCG1-071BC (3nm C on Holey C)

→表面機能化カーボングリッド各種






NanoNeutral TEMグリッド

Nano Grids

 NanoNeutral TEMグリッドは親水性で、水素結合を促進するためにポリエチレングリコール(PEG)で官能基化されています。NanoNeutral TEMグリッドは、デキストラン安定化酸化鉄ナノ粒子や非イオン界面活性剤安定化材料などの中性電荷を持つ材料の沈着に使用できます。表面は、試料作製の間乾燥作用を最小限にします。NanoNutral TEMグリッドは、官能基化カーボン・SiO2メンブレンウィンドウで利用できます。

Nano Basic Grid

(左図) メルカプトエトキシエタノールで官能基化された0.8nm金ナノ粒子の明視野TEM像
(中図) メルカプトエトキシエタノールで安定化された2nm金ナノ粒子のHAADF STEM像
(右図) ポリソルベートで官能基化された銀ナノ粒子の明視野TEM像。

Cat No.膜タイプグリッドタイプ枚数価格(¥)
NG00-021A膜無しA
50×50um (55)
(Si Wafar Grid)
1076,000
NG01-021A25nm SiO2
NG02-021A75nm SiO2
NG00-021B膜無しB
100×100um (35)
NG01-021B25nm SiO2
NG02-021B75nm SiO2
NG00-021C膜無しC
50um×1-2mm (9)
NG01-021C25nm SiO2
NG02-021C75nm SiO2

C-SMART NEUTRAL Grids <表面機能化カーボングリッド>
Cat No.Typemesh材質枚数価格(¥)
SC01-011AA (10nm C)400Cu2579,000
SC01-011BB (3nm C on Holey C)
SCG1-011AC (10nm C)1062,000
SCG1-011BC (3nm C on Holey C)

→表面機能化カーボングリッド各種






NanoHydrophobic TEMグリッド

Nano Grids

 NanoHydrophobic TEMグリッドは、疎水性の表面(接触角 >100°)を創り出すためアルキル鎖(n=8)で官能基化されています。有機溶剤又は疎水性の表面を持つ材料の沈着に非常に有用です。Hydrophobicグリッドは乾燥させる間、疎水性材料の凝集を防ぎます。材料例: カーボンナノチューブ, フラーレン, 量子ドット, FIBラメラ, DNA, アルキル化材料全般。

Nano Basic Grid

(左図) トリフェニルホスフィンで官能基化された0.8nm金ナノ粒子の明視野像
(中図) トリフェニルホスフィンで官能基化された1.5nm金ナノ粒子の明視野像
(右図) トリクロルエチレンから沈着されたGeナノ結晶の明視野像。

Cat No.膜タイプグリッドタイプ枚数価格(¥)
NG00-101A膜無しA
50×50um (55)
(Si Wafar Grid)
1076,000
NG01-101A25nm SiO2
NG02-101A75nm SiO2
NG04-101A15nm SiN
NG00-101B膜無しB
100×100um (35)
NG01-101B25nm SiO2
NG02-101B75nm SiO2
NG04-101B15nm SiN
NG00-101C膜無しC
50um×1-2mm (9)
NG01-101C25nm SiO2
NG02-101C75nm SiO2
NG04-101C15nm SiN



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