この製品はエタノール中に黒リン単層および数層フレークが分散されています。キュービックアンビル装置を用いた高圧成長技術により合成される高品質なBP結晶を超音波処理することによって開発されました。BPは非常に結晶性が高いため、超音波処理によって高結晶の単層、少数層および厚い層をエタノール溶液中に産出します。BPナノ材料の結晶性は、EDAX、ラマン分光法（FWHM<5 cm-1）、SEM測定によって確認されています。さまざまな基質上に堆積されたBPフレークのラテラルサイズは~25nmから~10mm、厚さは数十層の範囲になります。製品は、環境安定性、熱安定性、分散剤特性および非汚染性のためにエタノールが分散剤溶媒として使用されています。溶液濃度：過飽和状態の二次元溶液（二次元層の種類により～80から120mg/L）になります。過飽和溶液を希釈して～250から500mLの溶液を生成し、簡単でコスト効率のよいスピンコーティング処理によりご希望の基質上に二次元層を堆積させることができます。
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　二硫化ハフニウム（HfS₂）はバルクでは間接ギャップ層状半導体で、単層形態では直接ギャップ半導体となります。 HfS2の結晶は99.9999％の純度で合成されており、超音波処理によってイソプロパノール中に分散されています。合成HfS2結晶は非常に結晶性が高いため、超音波処理によって高結晶の単層、少数層および多層のHfS2をイソプロパノール溶液中に産出します。HfS2ナノ物質の結晶性は、EDAX、ラマン分光法（FWHM<5 cm-1）、及びSEM測定によって確認されています。さまざまな基質上に堆積されたHfS2フレークのラテラルサイズは、~35nmから~8μmの範囲で、厚さは1L(単層)～となります。溶液種類：優れた分散性、安定性、高い性能を理由として、イソプロパノール中を使用しています。溶液濃度：過飽和状態の二次元溶液（二次元層の種類により～100mg/L）になります。過飽和溶液を希釈して～250から500mLの溶液を生成し、簡単でコスト効率のよいスピンコーティング処理によりご希望の基質上に二次元層を堆積させることができます。
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　この製品はエタノール中にh-BN単層および数層フレークが分散されています。キュービックアンビル装置を用いた高圧成長技術により合成される高品質なh-BN結晶を超音波処理することによって開発されました。h-BNは非常に結晶性が高いため、h-BN層を剥離する超音波処理により、エタノール溶液中に懸濁する高結晶性のh-BNの単層および少数層が得られます。h-BNナノ材料の結晶性は、EDAX、ラマン分光法（FWHM<5 cm-1）、SEM測定によって確認されています。さまざまな基質上に堆積されたh-BNフレークのラテラルサイズは~25nmから~10 mm、厚さは1Lから数十層の範囲になります。溶液種類：優れた分散性、安定性、高い性能を理由として、エタノールを使用しています。溶液濃度：過飽和状態の二次元溶液（二次元層の種類により～80から120mg/L）になります。過飽和溶液を希釈して～250から500mLの溶液を生成し、簡単でコスト効率のよいスピンコーティング処理によりご希望の基質上に二次元層を堆積させることができます。
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　この製品には、イソプロパノール溶液中にGeSの単層、少数層、および厚片が含まれています。GeS結晶は99.9995%の純度で合成的に生成され、超音波処理によりイソプロパノール中に分散されています。合成GeS結晶は非常に結晶性が高いため、GeS層を剥離する超音波処理により、イソプロパノール溶液中に懸濁する高結晶性のGeSの単層および少数層が得られます。GeSナノ材料の結晶性は、電子エネルギー分散分光法（EDAX）、ラマン分光法（FWHM<5 cm-1）、および走査電子顕微鏡法（SEM）による測定で確認されています。さまざまな基質上に堆積されたGeSフレークのラテラルサイズは～10nmから～10umまで、厚さは1層からより厚みのあるシートまで幅があります。溶液種類：優れた分散性、安定性、高い性能を理由として、イソプロパノールを使用しています。溶液濃度：過飽和状態の二次元溶液（二次元層の種類により～80から120mg/L）になります。過飽和溶液を希釈して～250から500mLの溶液を生成し、簡単でコスト効率のよいスピンコーティング処理によりご希望の基質上に二次元層を堆積させることができます。
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　この製品には、イソプロパノール溶液中にGeSeの単層、少数層、および厚片が含まれています。GeSe結晶は99.9995%の純度で合成的に生成され、超音波処理によりイソプロパノール（純度99.9999%の電子グレード化学物質）中に分散されています。出発材（合成GeSe結晶）は非常に結晶性が高いため、GeSe層を剥離する超音波処理により、イソプロパノール溶液中に懸濁する高結晶性のGeSeの単層および少数層が得られます。GeSeナノ材料の結晶性は、電子エネルギー分散分光法（EDAX）、ラマン分光法（FWHM-1）、および走査電子顕微鏡法（SEM）による測定で確認されています。さまざまな基質上に堆積されたGeSeフレークの横方向サイズは～10nmから～10umまで、厚さは1層から数十層まで幅があります。溶液種類：優れた分散性、安定性、高い性能を理由として、イソプロパノールを使用しています。溶液濃度：過飽和状態の二次元溶液（二次元層の種類により～80から120mg/L）になります。過飽和溶液を希釈して～250から500mLの溶液を生成し、簡単でコスト効率のよいスピンコーティング処理により希望の基質上に二次元層を堆積させることができます。
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　グラフェンの類似体である半導体です。酸化グラフェンを改良反応ハマーズ法を用いて合成、分散水溶液としました。光学活性化された材料を産生し平均結晶粒サイズ（フレークサイズ）を増大させるために、欠陥密度を最小化することに重点を置いた結晶成長手法を用いています。他の酸化グラフェンと異なり、本製品は光学活性を示し2次元半導体研究にそのまま利用できます。各結晶成長バッチはオージェ電子分光法およびX線光電子分光法を用いて化学的定量分析を行い特性を検定済みです。また、ラマン分光法、フォトルミネセンス（PL）分光法、光吸収分光法による光学特性試験も行っているほか、原子間力顕微鏡を用いた原子的平坦性の計測も行っています。本製品は~2.5 eVにてPLを生じ、2.2eVおよび2.0eVにサブバンドが存在します。また1.7eVに幅広い欠陥線が存在します。ラマン分光法による測定ではD、G、2D、G+Dの各ピークが出現します。試料は酸素飽和した状態で販売され、材料の光学特性は簡単な熱処理により調整が可能です。本製品は単層グラフェンを各種の基質上に生成するのに最適であり、その所要時間は2〜10分です。単層グラフェン分散水溶液の濃度は92mg/Lに固定してあります。
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　エタノール溶液にMoS2フレークが懸濁した製品です。このMoS2溶液は、化学気相輸送法（CVT）を用いて合成した高品質MoS2結晶を超音波処理して生成します。出発材料（CVTにより生成したMoS2結晶）は結晶化度が高いため、MoS2層を剥離するために超音波処理を行うと、結晶化度が高い単層、数層、多層のMoS2がエタノール溶液中に分散した生成物が得られます。分散溶液はほぼ単層フレークとなりますが、他の厚みのものも少数見られます。MoS2ナノ素材の結晶化度はエネルギー分散型X線分析（EDAX）、ラマン分光法（FWHM<5cm-1）、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて計測・確認してあります。層の厚さによっては、被覆した基質の違いに応じてフレークが光を発することがあります（フォトルミネセンス）。基質の違いに応じて、被覆するMoS2フレークのラテラルサイズは~10nmから~10mmとなります。厚さは1L（単層）から数十層に渡ります。溶液種類：優れた分散性、安定性、高い性能を理由として、エタノールを使用しています。溶液濃度：過飽和状態の二次元溶液（二次元層の種類により～80から120mg/L）になります。過飽和溶液を希釈して～250から500mLの溶液を生成し、簡単でコスト効率のよいスピンコーティング処理によりご希望の基質上に二次元層を堆積させることができます。
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　エタノール溶液にMoSe2フレークが懸濁した製品です。このMoSe2溶液は、化学気相輸送法（CVT）を用いて合成した高品質MoSe2結晶を超音波処理して生成します。出発材料（CVTにより生成したMoSe2結晶）は結晶化度が高いため、MoSe2層を剥離するために超音波処理を行うと、結晶化度が高い単層、数層、多層のMoSe2がエタノール溶液中に分散した生成物が得られます。MoSe2ナノ素材の結晶化度はエネルギー分散型X線分析（EDAX）、ラマン分光法（FWHM<5cm-1）、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて計測・確認してあります。層の厚さによっては、被覆した基質の違いに応じてフレークが光を発することがあります（フォトルミネセンス）。基質の違いに応じて、被覆するMoSe2フレークのラテラルサイズは~10nmから~10mmとなります。厚さは1L（単層）から数十層に渡ります。ご注意：MoSe2溶液では正常な状態において相分離の発生が見込まれています。ご使用にあたり軽く振っていただくか、超音波処理を行い再分散させてください。 溶液濃度：過飽和状態の二次元溶液（二次元層の種類により～80から120mg/L）になります。過飽和溶液を希釈して～250から500mLの溶液を生成し、簡単でコスト効率のよいスピンコーティング処理によりご希望の基質上に二次元層を堆積させることができます。 エタノールを溶液として推奨している理由として、環境的安定性、熱的安定性、分散剤としての優位性、非汚染性を挙げることができます。
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　高品質単層MoWS₂溶液です。合成による純度99.995%のMoWS₂結晶から生成した初の単層MoWS₂溶液で、品質と信頼性に優れています。PL分光法、ラマン分光法による計測結果は安定しております。WS₂ナノパウダーから生成した溶液に比べ、強いフォトルミネセンス信号が発生します。環境的に安定しています。MoWS₂溶液は高純度合成MoWS₂単結晶から生成したものです。ラマンスペクトルはFWHMが5-6 cm-1近辺で鋭いピークを示します。単層溶液の濃度は92mg/Lに固定してあります。
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　MnO2は2次元触媒であるとともに、電子材料用グレードの2次元半導体材料です。バルク形態のMnO2は理論上1.5eVのバンドギャップを有しますが、単層形態ではこれが2.0eVへと増加します。単結晶MnO2を出発材料とし、イソプロパノールを溶媒とするMnO2溶液を生成しました。純度99.9999%の合成MnO2結晶を超音波処理したイソプロパノール懸濁液となっています。イソプロパノール溶媒は純度99.9999%の電子材料用グレードを使用しています。出発材料であるMnO2は結晶化度が高いため、生成されるMnO2溶液も結晶化度の高いMnO2層がイソプロパノール溶媒に懸濁した形態となります。MnO2フレークの横幅は~100nm - ~30μmであり、厚さは1L（単層）から数十層に渡ります。溶媒のタイプ：イソプロパノール。良好な分散性、安定性、高機能といった性質を持ちます。溶液濃度：過飽和状態の二次元溶液（二次元層の種類により～80から120mg/L）になります。過飽和溶液を希釈して～250から500mLの溶液を生成し、簡単でコスト効率のよいスピンコーティング処理によりご希望の基質上に二次元層を堆積させることができます。出発材料であるMnO2の品質：環境的に安定したMnO2の（多層の）デルタ相をcm単位でフローティングゾーン法により合成しました。デルタ相のMnO2の結晶構造はR-3m相の形態をとり、互いにファンデルワールス結合した多層構造をなします。各層は原子3つ分の厚さで、O-Mn-Oが連なった配列となります。この材料は空気中、水中、各種の気体中で環境的に安定しています。層は剥離が容易で、手間をかけずに目的の基質を被覆できます。
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　ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸テトラカリウム塩（PTAS）は、一般的に二次元物質の成長に使われる核生成促進剤です。PTASは一般的に当該分野において、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、ReS2、ReSe2、PtS2、PtSe2、SnS2、SnSe2など幅広い二次元物質のウェハースケール合成用核生成促進剤として使われます。当社のPTAS液は2mMの濃度があるため、単純に高純度水を加えてPTASを希釈し、量を増やして頂くことができます。MoS2、MoSe2、WS2、WSe2単分子層に対し、一般的に10マイクロモルのPTAS溶液が使われます。溶液は、～200mLから2Lの溶液を作るため、2mMの濃度の液体の形で2mL瓶に入っています。従って、CVD MoS2、MoSe2、WS2、WSe2単分子層の成長には、2mL瓶を（DI水を使用して）200mLに希釈してください。この高分子化合物は、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物（PTC-DA）から合成されました。7度にわたりフィルターをかけて浄化し、99.997%の純度に達しています。お客様には、CVD成長前にピラニア溶液またはプラズマ処理クリーニングプロセス、あるいはその両方を使ってその基板を処理し、PTASを官能基化するための表面準備をすることをお勧めします。
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　イソプロパノール溶液にSnSe2シートが懸濁した製品です。純度99.9995%の合成SnSe2結晶を超音波処理したイソプロパノール懸濁液となっています。イソプロパノール溶媒は純度99.9999%の電子材料用グレードを使用しています。出発材料である合成SnSe2結晶は結晶化度が高いため、それを超音波処理して剥離生成されるSnSe2溶液も結晶化度の高い単層および多層のSnSe2シートがイソプロパノール溶媒に懸濁した形態となります。SnSe2ナノ素材の結晶化度はエネルギー分散型X線分析（EDAX）、ラマン分光法（FWHM<5cm-1）、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて計測・確認してあります。SnSe2フレークの横幅は~10nmから~10μmであり、厚さは1L（単層）から多層に渡ります。溶媒のタイプ：イソプロパノールに分散した懸濁液をご用意しています。この溶媒は良好な分散性、安定性、高機能といった性質を持ちます。溶液の濃度：過飽和状態となります（2次元材料の層のタイプに応じて~80-120mg/L）。この過飽和溶液を希釈して~250-500mLの溶液を得ることができます。単純でコスト効率の良いスピンキャスト法を用い、目的の基質を2次元材料層で被覆することが可能です。
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　イソプロパノール溶液に単層、数層、多層のテルレンフレークが懸濁した製品です。合成テルレン結晶をまず純度99.9995%で生成し、それを超音波処理したイソプロパノール懸濁液となっています。イソプロパノール溶媒は純度99.9999%の電子材料用グレードを使用しています。出発材料である合成テルレン結晶は結晶化度が高いため、それを超音波処理して剥離生成されるテルレン溶液も、結晶化度の高い単層および多層のテルレンシートがイソプロパノール溶媒に懸濁した形態となります。テルレンナノ素材の結晶化度はエネルギー分散型X線分析（EDAX）、ラマン分光法（FWHM<5cm-1）、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて計測・確認してあります。テルレンフレークのラテラルサイズは~10nmから~数十μmであり、厚さは1L（単層）から多層に渡ります。溶媒のタイプ：イソプロパノールに分散した懸濁液をご用意しています。良好な分散性、安定性、高機能といった性質を持つためです。溶液の濃度：過飽和状態になります（2次元材料の層のタイプに応じて~80-120mg/L）。この過飽和溶液を希釈して~250-500mLの溶液を得ることができます。単純でコスト効率の良いスピンキャスト法を用い、目的の基質を2次元材料層で被覆することが可能です。
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　エタノール溶液にWS2フレークが懸濁した製品です。このWS2溶液は、化学気相輸送法（CVT）を用いて合成した高品質WS2結晶を超音波処理して生成します。出発材料（CVTにより生成したWS2結晶）は結晶化度が高いため、WS2層を剥離するために超音波処理を行うと、結晶化度が高い単層、数層、多層のWS2がエタノール溶液中に分散した生成物が得られます。分散溶液はほぼ単層フレークとなりますが、他の厚みのものも少量見られます。WS2ナノ素材の結晶化度はエネルギー分散型X線分析（EDAX）、ラマン分光法（FWHM<5cm-1）、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて計測・確認してあります。層の厚さによっては、被覆した基質の違いに応じてフレークが光を発することがあります（フォトルミネセンス）。基質の違いに応じて、被覆するWS2フレークのラテラルは~10nmから~10mmとなります。厚さは1L（単層）から数十層に渡ります。容積、濃度、溶媒タイプに関するご注意：過飽和状態で出荷しています（2次元材料の層のタイプに応じて~80-120mg/L）。この過飽和溶液を希釈して~250-500mLの溶液を得ることができます。単純でコスト効率の良いスピンキャスト法を用い、目的の基質を2次元材料層で被覆することが可能です。この製品では分散溶液としてエタノールを用いています。理由として、環境的安定性、熱的安定性、分散剤としての優位性、非汚染性を挙げることができます。
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　エタノール溶液にWSe2フレークが懸濁した製品です。このWSe2溶液は、化学気相輸送法（CVT）を用いて合成した高品質WSe2結晶を超音波処理して生成します。出発材料（CVTにより生成したWSe2結晶）は結晶化度が高いため、WSe2層を剥離するために超音波処理を行うと、結晶化度が高い単層、数層、多層のWSe2がエタノール溶液中に分散した生成物が得られます。WSe2ナノ素材の結晶化度はエネルギー分散型X線分析（EDAX）、ラマン分光法（FWHM<5cm-1）、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて計測・確認してあります。層の厚さによっては、被覆した基質の違いに応じてフレークが光を発することがあります（フォトルミネセンス）。基質の違いに応じて、被覆するWSe2フレークのラテラルサイズは~10nmから~10mmとなります。厚さは1L（単層）から数十層に渡ります。容積、濃度、溶媒タイプに関するご注意：過飽和状態で出荷しています（2次元材料の層のタイプに応じて~80-120mg/L）。この過飽和溶液を希釈して~250-500mLの溶液を得ることができます。単純でコスト効率の良いスピンキャスト法を用い、目的の基質を2次元材料層で被覆することが可能です。この製品では分散溶液としてエタノールを用いています。理由として、環境的安定性、熱的安定性、分散剤としての優位性、非汚染性を挙げることができます。
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